4月15日，东芯半导体股份有限公司（以下简称“东芯股份”或“公司”）首发申请获科创板上市委员会通过，将于上交所科创板上市。公司首次公开发行的股票不超过11056.24万股，占发行后总股本的 25.00%。据招股书显示，东芯股份拟募集资金75000.00万元，此次募集的资金将用于1xnm闪存产品研发及产业化、车规级闪存产品研发及产业化、研发中心建设、补充流动资金等项目。

公开资料显示，东芯股份成立于2014年，总部位于上海市，是中国大陆领先的存储芯片设计公司，聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司，并能为优质客户提供芯片定制开发服务。

据了解，东芯股份自成立以来，始终高度重视研发投入与技术创新，致力于实现本土存储芯片的技术突破。东芯股份研发团队通过多年在存储芯片设计领域积累的大量技术经验，基于自有知识产权和研发设计体系，自主开发了NAND、NOR、DRAM 等主流存储芯片，凭借高可靠性、低功耗等特点，多款代表公司先进技术水平的核心产品通过国内外多家知名企业的认证。

经过多年的经验积累和技术升级，东芯股份打造了以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品，凭借在工艺制程及性能等方面出色的表现，东芯股份的产品不仅在高通、博通、联发科、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技、紫光展锐等多家知名平台厂商获得认证，同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。

未来，东芯股份将继续以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，聚焦于存储芯片领域将围绕自身的核心优势，结合内外部资源，以自主创新为驱动，不断提升核心技术，打造从多品类通用型向特色型产品延伸的发展路径，提升公司综合竞争力，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。