10月29日，拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”或“公司”）首发申请获上交所上市委员会通过，将于上交所科创板上市。公司首次公开发行的股票不超过3161.98万股，占发行后总股本的25.00%。据招股书显示，拓荆科技拟募集资金100029.65万元，此次募集资金将用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进、ALD设备研发与产业化、补充流动资金等项目。  

公开资料显示，拓荆科技创建于2010年，总部位于辽宁省沈阳市，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大核心设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

据了解，拓荆科技自设立以来，始终以“建立世界领先的薄膜设备公司”为使命，专注于半导体薄膜沉积设备的研发、生产和销售领域，通过多年科研攻关和市场验证，在PECVD、ALD和SACVD设备领域推出了多款量产设备，为下游集成电路制造及泛半导体领域内的客户提供了优质的产品。

拓荆科技系国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，公司的产品已成功应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、厦门联芯、燕东微电子等行业领先集成电路制造企业产线，累计发货超150套机台，不同工艺型号的机台配适国内厂商各类介质薄膜沉积的制造需求，有效降低国内集成电路生产线对国际设备厂商的依赖。在先进制程方面，拓荆科技的PECVD设备已发货某国际领先晶圆厂先进研发产线，ALD设备已销往国内14nm 研发产线，产品技术参数已达到国际同类设备水平。

      未来，拓荆科技将继续致力于高端半导体设备的研发生产，扩大现有设备市场占有率，提高公司设备的技术先进性，丰富公司设备种类，拓展技术应用领域，开发台湾市场。